主要工作
1. 合成三氯氢硅（TCS）：
     ○ 首先，电解饱和食盐水制取氢气（H₂）和氯气（Cl₂），氢气与氯气反应生成氯化氢（HCl）。
     ○ 然后，氯化氢（HCl）与工业硅粉在合成流化床中进行反应，生成三氯氢硅（TCS）以及副产物四氯化硅（SiCl₄）、二氯二氢硅（SiH₂Cl₂）、氢气（H₂）等。主要反应式为：Si + HCl = TCS + SiCl₄ + SiH₂Cl₂ + H₂。

2. 提纯三氯氢硅（TCS）：采用多级分馏塔，通过控制温度和压力，利用沸点差异来分离杂质，如四氯化硅（SiCl₄）、硼、磷等，从而提高三氯氢硅的纯度。

3. 还原三氯氢硅（TCS）：
     ○ 将提纯后的三氯氢硅（TCS）与高纯氢气（H₂）混合后，送入多晶硅还原炉。
     ○ 在炉内，三氯氢硅（TCS）在硅芯表面发生氢化还原反应，生成硅并沉积在硅芯上，硅芯的直径会逐渐变大，直至达到规定尺寸。该步骤的反应式为：TCS + H₂ = Si + SiCl₄ + HCl + H₂。

需要注意的是，还原过程中产生的尾气包含未反应的氢气、氯化氢、四氯化硅（H₂、HCl、SiCl₄）等。改良西门子法通过尾气回收系统进行多级冷凝分离，其中氢气（H₂）被重新输送至还原炉中，氯化氢（HCl）则被送回三氯氢硅（TCS）合成装置以实现循环利用，四氯化硅（SiCl₄）通过氢化过程转化为三氯氢硅（TCS），随后再次进入提纯流程。